Tlf
0086-516-83913580
E-mail
[e-mail beskyttet]

Stor effektivitet og holdbarhed 3L TO-220AB SiC-diode

Kort beskrivelse:

Emballagestruktur: 3L TO-220AB

Introduktion: YUNYI 3L TO-220AB SiC Diode er lavet af siliciumcarbidmaterialer.SiC-dioder har høj varmeledningsevne, hvilket effektivt kan forbedre effekttætheden.Jo højere termisk ledningsevne, jo stærkere er materialets evne til at overføre varme til omgivelserne, jo mindre temperaturstigning på enheden, jo mere befordrende for at forbedre strømtætheden af ​​strømenheden, så den er mere egnet til at arbejde i et miljø med høj temperatur.Den høje nedbrydningsfeltstyrke af SiC-dioder øger modstandsspændingen og reducerer størrelsen, og den høje elektroniske gennembrudsfeltstyrke øger nedbrydningsspændingen af ​​halvledereffektenheder.På samme tid, på grund af stigningen i elektronnedbrydningsfeltstyrken, i tilfælde af at øge urenhedsgennemtrængningstætheden, kan bredbåndet af driftområdet af SiC-diodekraftenheden reduceres, så størrelsen af ​​strømanordningen kan reduceres.


Produktdetaljer

Overvågning af responstid

Måleområde

Produkt Tags

Fordele ved YUNYI's 3L TO-220AB SiC Diode:

1. Konkurrencedygtige omkostninger med høj kvalitet

2. Høj produktionseffektivitet med kort leveringstid

3. Lille størrelse, der hjælper med at optimere printpladepladsen

4. Holdbar under forskellige naturlige miljøer

5. Selvudviklet chip med lavt tab

3L TO-220AB

Trin af chipproduktion:

1. Mekanisk udskrivning (Superpræcis automatisk waferudskrivning)

2. Automatisk første ætsning (automatisk ætsningsudstyr, CPK>1,67)

3. Automatisk polaritetstest (præcis polaritetstest)

4. Automatisk samling (selvudviklet automatisk præcis montering)

5. Lodning (Beskyttelse med blanding af nitrogen og hydrogen vakuumlodning)

6. Automatisk anden ætsning (Automatisk anden ætsning med ultrarent vand)

7. Automatisk limning (Ensartet limning og præcis beregning udføres af automatisk præcis limning)

8. Automatisk termisk test (automatisk valg af termisk tester)

9. Automatisk test (multifunktionel tester)

贴片检测
芯片组装

Parametre for produkter:

Varenummer Pakke VRWM
V
IO
A
IFZM
A
IR
μa
VF
V
ZICRF10650CT ITO-220AB 650 10 60 60 1.7
ZICRF5650 ITO-220AC 650 5 60 60 2
ZICRF6650 ITO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065F ITO-220AC 650 6 70 3(0,03 typisk) 1,7(1,5 typisk)
ZICRF10650 ITO-220AC 650 10 100 120 1.7
ZICRF101200 ITO-220AC 1200 10 110 100 1.8
ZICRF12600 ITO-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICRF12650 ITO-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065F ITO-220AC 650 3 46 2(0,03 typisk) 1,7(1,4 typisk)
Z3D10065F ITO-220AC 650 10 115 40(0,7 typisk) 1,7(1,45 typisk)
Z4D10120F ITO-220AC 1200 10 105 200 (typisk 30) 1,8(1,5 typisk)
ZICR10650CT TO-220AB 650 10 60 60 1.7
Z3D20065C TO-220AB 650 20 115 (pr. ben) 40(0,7 typisk)(pr. ben) 1,7(1,45 typisk)(pr. ben)
ZICR5650 TO-220AC 650 5 60 60 2
ZICR6650 TO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065A TO-220AC 650 6 70 3(0,03 typisk) 1,7(1,5 typisk)
Z3D10065A TO-220AC 650 10 115 40(0,7 typisk) 1,7(1,45 typisk)
ZICR10650 TO-220AC 650 10 110 100 1.7
Z3D20065A TO-220AC 650 20 170 50(1,5 typisk) 1,7(1,45 typisk)
ZICR101200 TO-220AC 1200 10 110 100 1.8
ZICR12600 TO-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICR12650 TO-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065A TO-220AC 650 3 46 2(0,03 typisk) 1,7(1,4 typisk)
Z4D04120A TO-220AC 1200 4 46 200 (typisk 20) 1,8(1,5 typisk)
Z4D05120A TO-220AC 1200 5 46 200 (typisk 20) 1,8(1,65 typisk)
Z4D02120A TO-220AC 1200 2 44 50 (10 typisk) 1,8(1,5 typisk)
Z4D10120A TO-220AC 1200 10 105 200 (typisk 30) 1,8(1,5 typisk)
Z4D20120A TO-220AC 1200 20 162 200 (typisk 35) 1,8(1,5 typisk)
Z4D08120A TO-220AC 1200 8 64 200 (typisk 35) 1,8(1,6 typisk)
Z4D15120A TO-220AC 1200 15 100 200 (typisk 35) 1,8(1,5 typisk)
Z3D15065A TO-220AC 650 15 162 25(0,5 typisk) 1,7(1,5 typisk)
Z3D06065I TO-220-IZolation 650 6 70 3(0,03 typisk) 1,7(1,5 typisk)
Z3D10065I TO-220-IZolation 650 10 115 40(0,7 typisk) 1,7(1,45 typisk)

 


  • Tidligere:
  • Næste:

  •