Ultra-stabile overflademonterede PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
Fordele ved DO-218AB SM8S:
1. På grund af teknologien til den kemiske ætsningsmetode er de negative resultater af direkte skæremidler elimineret.
2. Kraftig i omvendt stigning på grund af større chip end modparter.
3. Ekstremt lav fejlrate i forskelligt vejr og områder
4. Godkendt af AEC-Q101 standard
5. Diodes funktioner er optimeret og nyder godt af den videnskabelige beskyttelse på PN-krydset.
PRIMÆRE KARAKTERISTIKA:
VBR: 11,1 V til 52,8 V
VWM: 10 V til 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10.000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ maks.: 175 °C
Polaritet: Ensrettet
Pakke: DO-218AB
Procedurer for Chips produktion
1. Automatisk udskrivning(Ultra-præcis automatisk wafer print）
2. Automatisk første-ætsning(Automatisk ætsningsudstyr，CPK>1,67）
3. Automatisk polaritetstest (præcis polaritetstest)
4. Automatisk samling (selvudviklet automatisk præcis montering)
5. Lodning (Beskyttelse med blanding af nitrogen og brint
Vakuum lodning)
6. Automatisk anden ætsning (Automatisk anden ætsning med ultrarent vand)
7. Automatisk limning (Ensartet limning og præcis beregning udføres af automatisk præcis limning)
8. Automatisk termisk test (automatisk valg af termisk tester)
9. Automatisk test (multifunktionel tester)
